楊杰對(duì)此倒是有足夠的耐心，前世的時(shí)候艾斯摩爾公司也是花費(fèi)了十多年時(shí)間和技術(shù)積累才推出了紫外光光刻機(jī)產(chǎn)品出來。

    其實(shí)從2000年以來，在光學(xué)光刻技術(shù)努力突破分辨率“極限”的同時(shí)，海外很多研究機(jī)構(gòu)也是在研發(fā)包括極紫外線光刻技術(shù)，電子束光刻技術(shù)，x射線光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)等不同的光刻技術(shù)。

    其中x射線光刻技術(shù)被提出來進(jìn)行研發(fā)的主要原因是因?yàn)閤射線的波長(zhǎng)極短，x射線在用于光刻時(shí)的波長(zhǎng)通常在0.7到0.12納米之間，它極強(qiáng)的穿透性決定了它在厚材料上也能定義出高分辨率的圖形來。

    不過這種技術(shù)現(xiàn)階段來說有兩個(gè)極大的困難，一個(gè)就是如何得到能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定可靠工作的光源，到現(xiàn)在為止，世界上還沒有辦法造出符合這樣條件的的光源來，因?yàn)楝F(xiàn)階段人類制造出第三代同步輻射光源都已經(jīng)拿出吃奶的勁了。

    而且使用x射線光刻技術(shù)最主要且最困難的技術(shù)就是掩模制造技術(shù)，其中1：1的光刻非常困難，是妨礙技術(shù)發(fā)展的難題之一。

    在過去的發(fā)展中，科學(xué)家對(duì)其已經(jīng)得到了巨大的發(fā)展，也有一些新型材料的發(fā)現(xiàn)以及應(yīng)用，有一些已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室中得以實(shí)踐，但對(duì)于工業(yè)發(fā)展還是沒有什么重大的成就。

    x射線掩模的基本結(jié)構(gòu)包括薄膜、吸收體、框架、襯底，其中薄膜襯基材料一般使用硅、碳化硅、金剛石，吸收體主要使用金、鎢等材料。

    要能夠使x射線以及其他光線的有效透過，且保障其有足夠的機(jī)械強(qiáng)度，具有高的x射線的吸收性，且要足夠厚，保障其高寬比的量，且其要有高度的分辨率以及反差，對(duì)于其掩模的尺寸要保障其精度，要沒有缺陷或者缺陷較少。

    另外還要研發(fā)特殊的光刻膠，難度比華興集團(tuán)公司研制極紫外光光刻膠的難度還要大。

    所以這項(xiàng)技術(shù)只能是作為預(yù)研，現(xiàn)階段根本沒有實(shí)現(xiàn)的可能。

    至于一些研發(fā)機(jī)構(gòu)進(jìn)行研究的納米壓印光刻技術(shù)，主要包括熱壓印、紫外壓印以及微接觸印刷，這個(gè)技術(shù)原理就跟蓋章一樣，采用高分辨率電子束等方法將結(jié)構(gòu)復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)圖案制在印章上,然后用預(yù)先圖案化的印章使聚合物材料變形而在聚合物上形成結(jié)構(gòu)圖案。

    不過這種技術(shù)也是受限于現(xiàn)階段設(shè)備制造技術(shù)和化學(xué)材料技術(shù)，就算是用這種技術(shù)也需要極為精密的電子束設(shè)備在碳化硅材料上進(jìn)行刻蝕圖案，還要研發(fā)涂敷在晶圓上的不同聚合物，工藝也并不簡(jiǎn)單，也需要大量的廠商進(jìn)行合作。

    現(xiàn)在光刻技術(shù)已經(jīng)是非常成熟了，大量的廠商都能從這個(gè)過程中得到利益，誰會(huì)愿意為了一個(gè)誰也不能保證一定成功的新工藝方法來投入大量的人力物力財(cái)力去研發(fā)這些，輕易地改變自己的技術(shù)路線呢！

    而且極紫外光則是目前距實(shí)用化最近的一種深亞微米的光刻技術(shù)，因?yàn)辁椺u在八十年代就對(duì)極紫外光技術(shù)進(jìn)行了理論上的探討并做了許多相關(guān)的實(shí)驗(yàn)，而且也是第一個(gè)造出第三代輻射同步光源的國(guó)家。

    可以說鷹醬砸很多技術(shù)領(lǐng)域都是走在最前面的，但是九十年代鷹醬努力地發(fā)展金融產(chǎn)業(yè)，大量的資本涌入了金融產(chǎn)業(yè)，國(guó)內(nèi)的實(shí)體制造業(yè)也是受到了很大的沖擊，鷹醬國(guó)內(nèi)的唯一一家光刻機(jī)公司也是賣給了艾斯摩爾公司，雖然大量的研究機(jī)構(gòu)還是能得到足夠的經(jīng)費(fèi)，而軍工集團(tuán)公司因?yàn)檐娀鸪隹谥圃斓哪芰Σ]有下降得厲害，但是因?yàn)槊耖g的企業(yè)都是經(jīng)營(yíng)困難破產(chǎn)的破產(chǎn)，轉(zhuǎn)移產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移產(chǎn)業(yè)，整個(gè)國(guó)家的制造能力實(shí)際上是處于不斷下滑的狀態(tài)。

    而這十年間國(guó)內(nèi)的制造實(shí)力卻是處于一種急速提升的狀態(tài)，尤其是華興集團(tuán)公司能夠設(shè)計(jì)制造出高精密的加工機(jī)械設(shè)備和在材料技術(shù)上的進(jìn)步，連帶著國(guó)內(nèi)整體制造實(shí)力都是往上邁上了一個(gè)很大的臺(tái)階。

    能夠在這么短的時(shí)間里面建設(shè)出來國(guó)內(nèi)第一座第三代同步輻射光源設(shè)施并且大部分的儀器設(shè)備都能夠自己設(shè)計(jì)制造出來就非常好地體現(xiàn)出來了。

    楊杰倒是希望鷹醬能夠自己意識(shí)到自己國(guó)內(nèi)的問題時(shí)間更晚一些，盡量地為自己的公司和國(guó)內(nèi)多爭(zhēng)取發(fā)展的時(shí)間。

    不過他也知道鷹醬要想再實(shí)現(xiàn)自己制造業(yè)強(qiáng)大的可能性并不是很大，除非碰上一個(gè)特別的歷史機(jī)遇或者有那么一個(gè)非常強(qiáng)勢(shì)的政治人物上臺(tái)花非常大的力氣才能扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)，否則國(guó)力衰退只是一個(gè)遲早的問題。

    楊杰要現(xiàn)在要做的就是要緊緊地咬住這個(gè)歷史機(jī)遇，努力地將手中的掌握的核心技術(shù)繼續(xù)投入研發(fā)下去，別的不說，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最核心關(guān)鍵的光刻機(jī)技術(shù)和光刻機(jī)的市場(chǎng)他是要死死地攥在手里的。

    現(xiàn)在微電子行業(yè)的發(fā)展已經(jīng)是受到重重阻礙，從微電子技術(shù)的發(fā)展過程能分析判斷出，若不早日推出極紫外光刻技術(shù)來對(duì)當(dāng)前的芯片制造方法做出全面的改進(jìn)，將使整個(gè)芯片工業(yè)處在岌岌可危的地步。

    從現(xiàn)在來看，華興集團(tuán)公司在極紫外光光源和鏡組方面的技術(shù)已經(jīng)是掌握了，接下來的就是如何將光源和鏡組小型化，雖然這中間還有很多的工程技術(shù)難題，但是這對(duì)華興集團(tuán)公司已經(jīng)不是什么特別困難的事情了，幾年之內(nèi)是能夠可以解決的。

    至于雙工件臺(tái)的精度誤差控制在兩納米之內(nèi)的高難度工程技術(shù)難題現(xiàn)在因?yàn)槿鹦强萍脊驹诖艖腋〖夹g(shù)上的研發(fā)上已經(jīng)取得了很大的突破，現(xiàn)在瑞星科技公司的工件臺(tái)運(yùn)動(dòng)精度誤差控制在兩到三納米之間，已經(jīng)是追上了艾斯摩爾公司的技術(shù)水平。

    因?yàn)槿鹦强萍脊臼亲钤缪邪l(fā)沉浸式光刻機(jī)技術(shù)的，在這方積累了大量的技術(shù)專利，艾斯摩爾公司到今年才好不容易造出了第一款沉浸式光刻機(jī)出來，而且賣得很貴，足足比瑞星科技公司的g系列光刻機(jī)多出了一千萬美金。

    歐洲和鷹醬的一些晶圓廠也是為了不想一直被瑞星科技公司捏著喉嚨也是采購(gòu)了幾十臺(tái)，不過跟瑞星科技公司去年光是光刻機(jī)的銷量就達(dá)到了198臺(tái)左右，占到了百分之六十五的市場(chǎng)份額，成為了光刻機(jī)市場(chǎng)的寡頭公司。