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第211章 讀取快了10倍,寫(xiě)入快了20倍-《重生:我體內(nèi)帶個(gè)臺(tái)式機(jī)》


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    楓火集團(tuán)公司,阻變式存儲(chǔ)器研發(fā)中心。

    經(jīng)過(guò)了大半年的持續(xù)研發(fā),已經(jīng)是地中海發(fā)型的馮高平帶著團(tuán)隊(duì),在江成的指導(dǎo)下吃透了徐偉大佬他們一行整出的專(zhuān)利,并且在此基礎(chǔ)上研發(fā)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)技術(shù)。

    “江總,目前我們已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn)了兩種存儲(chǔ)芯片的研發(fā),第一類(lèi)是阻變式緩存,我們稱(chēng)之為hrram,讀取速度達(dá)到了35gb/s,可以用于手機(jī)soc芯片,車(chē)規(guī)級(jí)芯片。”

    馮高平拿著比小指指甲還小的小小芯片遞給了江成看。

    “第二類(lèi)是阻變式內(nèi)存,drram,這一塊的制造工藝是90nm,但存儲(chǔ)容量到了4gb,讀取速度達(dá)20gb/s。”

    江成拿了到手上,瞬間模擬進(jìn)入了體內(nèi)的超技術(shù)實(shí)驗(yàn)室。

    “寫(xiě)入速度呢?”

    “順序?qū)懭胨俣纫灿?0gb/s,隨機(jī)寫(xiě)入也達(dá)到了2gb/s以上。”馮高平聲音非常地激動(dòng)。

    這還是他第一次研發(fā)出來(lái)這么強(qiáng)大的存儲(chǔ)芯片。

    比起當(dāng)前的手機(jī)內(nèi)存來(lái)說(shuō),讀取快了10倍,寫(xiě)入快了20倍!

    江成徑自將這些芯片替換到了體內(nèi)模擬實(shí)驗(yàn)室中的楓火手機(jī),先是換了運(yùn)行內(nèi)存。

    相關(guān)的接口協(xié)議同步拷貝到了芯片級(jí)系統(tǒng)之中。

    “連續(xù)讀寫(xiě)速度表現(xiàn)非常不錯(cuò)。”江成點(diǎn)點(diǎn)頭,“不過(guò),你們要再增設(shè)一個(gè)電源管理芯片,以防存儲(chǔ)芯片因電流電壓不穩(wěn)被擊穿。”

    馮高平應(yīng)了聲,對(duì)江成的佩服得很,“我們?cè)谠囼?yàn)中也發(fā)現(xiàn)了可能會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題,已經(jīng)在做適配的電源管理芯片了。”

    “做得好。”江成贊揚(yáng)了一句,隨后又問(wèn),“你是國(guó)科大畢業(yè)的吧?”

    “是,微電子科學(xué)專(zhuān)業(yè)的。”馮高平回答,“畢業(yè)四五年了。”

    “今天后,由你任存儲(chǔ)器研發(fā)部經(jīng)理,好好干。”江成輕拍了拍他的肩膀。

    這一段時(shí)間的考察,馮高平表現(xiàn)確實(shí)是可圈可點(diǎn)。

    至少看他那樣子,就不像是剛畢業(yè)四五年的樣子,至少是畢業(yè)十幾年的模樣。

    馮高平有些激動(dòng),“感謝江總信任!”

    “繼續(xù)研發(fā)完善,現(xiàn)在的制程我還是不太滿(mǎn)意,希望達(dá)到45納米,甚至是28納米制程,另外這么大的芯片,要探索3d堆疊結(jié)構(gòu),把容量拓展到10gb,甚至是100gb以上。”
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