第(2/3)頁

    上世紀60年代，光刻技術剛剛出現的時候，使用的是普通的可見光光源，那時候的光刻機其實就是拿一個大燈泡照射掩膜板，和照相館里沖洗照片沒啥區別。

    80年代，光源進化為采用高壓放電汞燈產生的436納米和365納米光源，前者稱為g線光源，后者稱為i線光源，都屬于近紫外光源。

    90年代之后，出現了使用準分子激光器的248納米、193納米和157納米光源，分別稱為krf、arf和f2光源，屬于深紫外光源。

    再至于被譽為“皇冠上的明珠”的euv光刻機，使用的是13.3納米的極紫外光源，它的出現時間已經要算到2010年之后了。

    時下，g線光源還是集成電路制造中使用的主流光源。i線光源光刻機已經問世，但還沒有得到大規模推廣。至于krf，實驗室概念已經提出來了，真正投入使用，還得是十年后的事情。

    光刻的原理，與沖洗照片是一樣的。首先，要把電路圖制作成底片，稱為掩膜。光源通過掩膜照射在涂了光刻膠的芯片基材上。

    光刻膠由樹脂、感光劑、溶劑和添加劑組成，其中的感光劑在光線照射下會發生反應，使曝光區的光刻膠溶解，這就相當于把掩膜上的電路圖案復制到了芯片基材上。

    隨后，再進行蝕刻、離子注入、封裝等操作，一枚芯片就制作完成了。

    光刻膠中感光劑的選擇，與光源是密切相關的，這涉及到化合物在不同波長光線作用下的變化，機理十分復雜。

    徐云是知道這些概念的。他原本就是物理系的學生，楓林研究所聘請他的老師前來參與這個項目，就是因為其中涉及到一些光學方面的問題。他在項目組里耳濡目染了這么久，對于這些問題自然是非常了解的。

    聽到高凡的問題，徐云也只能把心里那些雜念拋開，認真地答道：“我們現在研究的重點，就是g線光刻膠，這也是目前應用最廣泛的。

    “i線光刻膠這方面，畢主任在實驗室會議上提過幾次，讓大家有時間做一些積累，不過目前條件還不成熟。再至于說krf光刻膠，好像國外也剛剛開始研究吧？”

    “你說i線光刻膠的條件不成熟，是指什么？”高凡問道。
    第(2/3)頁