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    之前中晶微收購了特許半導體的晶圓廠是得到了一批傳統金屬氧化物半導體結構工藝的技術人員，但是很多的工藝都是要得到西方公司的生產工藝授權，技術源頭還是來自于鷹醬國內的這些公司。

    雖然這些年中晶微在金屬氧化物半導體結構工藝上也是取得了一些技術專利，但是比起英特爾和萬國商業機器公司來說還是跟在他們面追趕。

    soi和finfet結構其實英特爾和萬國商業機器公司都是有在研究，憑著他們龐大的研發人員進行技術攻關在這些方面都是追得非常緊。

    soi工藝與金屬氧化物半導體工藝相比較的話，在28納米節點，soi晶圓有一定的優勢，但是到了20納米和14納米，soi的優勢就很明顯了，soi晶圓的成本低于金屬氧化物半導體的，更遠低于finfet的晶圓成本。

    楊杰清楚地知道只有高端計算機或者服務所用的高性能處理器能承受finfet的高成本，從半導體產業發展來看，智能手機是重要的推動力量，不過智能手機處理器要承受價格和功耗的壓力。

    作為現階段智能手機的巨頭公司，華興集團公司選擇發展soi工藝自然是非?，F實的選擇，現在華興集團公司自己已經能夠開始生產絕緣體上硅晶圓片，但是soi工藝和金屬氧化物半導體的工藝是相似的，到最后華興集團公司還是要補上自己的技術短板。

    英飛凌在金屬氧化物半導體結構設計開發上是很拿手的，而且這些技術移植到soi難度并不大。

    前世的時候，意法半導體依托soi工藝在28納米節點實現了主頻高達3g赫茲的雙核a9處理器，在手機實際應用中，其功耗比主頻1.4gh中的四核a9處理器還低，有力地展示了soi工藝的優勢。

    這種soi工藝可以將工作電壓降低至大約0.6v，而相比之下金屬氧化物半導體工藝的最小極限值一般在0.9v左右，使用soi的后向偏置技術可以提供更寬動態范圍的性能，因此特別適合移動和消費級多媒體應用。

    作為重生的頂尖集成電路科學家，楊杰對每一種的一種工藝技術都是了解其未來可擴展性，至少從14納米到7納米，soi可以發展出三代工藝技術。

    實際上，soi工藝更易實現高性能存儲設計，在處理器的開發上，soi的嵌入式存儲解決方案不但獲得了容量的提升，更在性能上大幅提升。
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