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    “我只是說一下我的想法，具體的還是要他們來修改。”

    楊杰笑著道：“他們在io輸入輸出接口設計上太想當然，沒有考慮制備難度和工序，dma引擎設計不夠精簡，影響存取速度，校驗算法效率不高導致壞區檢驗能力不足，顆粒使用時間長了以后數據會經常出錯。”

    譚云松幾乎要哭出來：“楊少你怎么不早說？我還以為那個設計很完美呢？韓小龍前兩天還在到處吹牛，說頂多流個七八次片就能試驗成功。”

    “他們的研發思路是沒有錯，只要稍微修改一下設計，這樣可以把制備流程縮短30%，生產成本會大幅下降，以后良品率也會很容易上去。”

    “楊少你真是天才，一眼就看出了這里面的問題，連如何修改都想好了，有你這樣的天才，我想國外那些閃存大廠要掉眼淚了。”

    楊杰哈哈笑一笑，老天爺好不容易讓自己重生一回，自己手頭上有大量的技術專利，不拿出利用那簡直太暴殄天物了！

    “我都懷疑楊少你上輩子是不是搞ic的？這輩子是帶著記憶投胎？為什么有著如此多的想法？”

    “譚總你可是還科學家呢！怎么還相信這一套！”

    譚云松笑了起來：“沒辦法，國內在半導體產業上有著如此快速的提升，這就是一個奇跡呀！根本沒辦法用科學來解釋。”

    “這不是譚總最希望看到的結果么。”楊杰笑著道。

    次日，楊杰也是出現在了新藍科技公司的研發中心，會議室里面坐滿了公司研發部門的技術工程師，中間還有二十多名的美國的工程師。

    他指著投影屏幕上自制的ppt說道：“大家看啊，這個多晶硅柵下面是三層絕緣薄膜，這三層薄膜分別是隧穿氧化層、氮化硅、屏障氧化層，其中氮化硅具有極高的電子陷阱密度，可以捕獲電子，達到存儲電荷的目的，帶電就是1，不帶電就是0。”

    楊杰繼續說道：“氮化硅之前只是用在對底層金屬實現覆蓋，因為針孔很少，對水汽和鈉在氮化硅材料中擴散非常慢，這次我們將氮化硅注入溝道邊沿。”

    他看到眾人都是露出了困惑的表情，笑著解釋道：“我們都知道半導體中有兩種載流子，一種是電子，一種是空穴，在對單元進行寫入操作時，采用熱電子注入法，將熱電子注入溝道邊緣的氮化硅，這樣就完成了寫入過程，在作擦除時，利用價帶間的空穴，將空穴注入溝道邊緣的氮化硅，消除電荷，就完成了擦除。

    “由于氮化硅的絕緣性，熱電子效應產生的電子只能被注入并限制在溝道邊緣。正是這樣，兩側溝道一旦全部帶電就是11，全部不帶電就是00，但是我們一旦把兩側溝道其中一側進行單獨擦除，就會出現四種情況，一種是01，一種是10，于是我們就在不進行復雜工藝改變的前提下，讓現有的閃存容量增加了一倍。”

    “在這個基礎上，我們可以今后發展出多電壓控制柵極多層注入電荷技術產品，實現多層的堆疊，可以用這種技術在現有的制程工藝上最大限度地增加閃存的容量，而不是完全依靠制程工藝的提升，這也大大地降低了閃存的成本。”
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