210章 技術難關!-《重生之大學霸》
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“這些照片大家開會前都已經看過,對柵極埋入層的形貌結構心里也都有數了,我來給大家分析一下,看看和大家自己做出的分析是不是一樣。”
看著幾十雙眼睛看著自己,楊杰也是說出了自己的看法:“我們這次工程流片之所以會出現大批不能讀寫的次品,良品率極低,主要原因雖然有目前的0.18微米實驗制程不成熟的原因,但再怎么不成熟,良品率也不能這么低。剛才我看了一下照片,真正搞出次品的原因是因為我們的埋入晶圓的柵極擴散層形態異常。”
會議室里徐工也是松了口氣,這次負責攻關0.18微米制程工藝的負責人是他,他也是擔心自己在技術路線上出現了重大問題。
“大家看這張電鏡探傷圖,左邊是這次的良品,右邊是這次的不合格品,左邊正常形態下的埋入層擴散結構和右邊的區別是很明顯的,我知道大家現在一定在想,為什么會出現右邊這些次品?問題出在哪呢?”
會議室里面很多技術人員也是踴躍發言。
“剛才這位黃海波判斷的不錯,這個情況確實跟我們擴散層離子注入工序有問題。”
這位被點到名的技術人員眼中露出驚喜的神色。
“那么我問你,這道工序到底出現了什么問題?”楊杰追問道。
這個技術人員卻是回答不上來。
“楊少,難道是注入機的真空度問題?”徐少秋問道。
“不錯,就是注入機的真空度不夠,從而引起埋入擴散層的氧化膜厚度中間薄周邊厚,薄的部分隔離差,造成中間漏電。”
臺下工程師們有的表情恍然大悟,有的則是興奮地點頭,表示不出所料,楊杰的判斷和他們一樣。
楊杰繼續道:“我認為失敗也是好事,給了我們總結的經驗嘛,要是不出事,我倒覺不好,那樣一來大家反而什么都學不到。”
他看著席海清說道:“席總,你馬上把瑞星科技公司目前正在研發中的新型離子注入機的改良版真空部件拿過來對華越電子公司的設備進行升級改裝。從他們給出的新設備真空參數來看,改裝升級以后應該就能馬上解決問題,過幾天第二批工程流片出來以后,大家對著電鏡圖片就能看出區別了。”
“是,楊少,我馬上安排。”
在座的工程師們有的心里還是懸著,擔心這次改裝升級要是依然解決不了問題可怎么辦呢?
楊杰繼續按動鼠標,把投影儀上的圖片換了一張,繼續講解道:“這張圖很經典啊,這是柵鄔化硅附著不良的典型特征,是多晶硅生長工藝的問題,只要改進柵鄔化硅生長前的清洗工藝,從而消除附著不良的現象就可以了。”
底下幾位負責硅晶片的工程師聽到這個也是趕緊記下楊杰所說的改進方案。
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